國際集成電路產業峰會大咖云集，賽微電子氮化鎵項目引入戰略投資人

本次峰會以“‘芯’夢想、新動能”為主題，邀請國內外集成電路產業政、產、學、研、用各路精英400人齊聚青島，研討國內外集成電路產業發展的新生態、新熱點，挖掘青島市在集成電路產業的優勢與機遇，打造青島集成電路創新綠色發展先進產業集群，助力青島加快推進新舊動能轉換重大工程。

　　中國半導體行業協會理事長周子學先生，國家集成電路產業投資基金總經理丁文武先生，華登國際董事長陳立武先生等國內外集成電路行業領軍人物先后致辭，美國國家工程院院士、加州伯克利大學副校長、校董Tsu-Jae King Liu教授，華登國際董事總經理黃慶博士等先后在峰會現場發表主旨演講，從不同角度闡述集成電路及相關產業的未來發展趨勢。

　　賽微電子董事長楊云春先生與國家集成電路產業投資基金總經理丁文武先生就中國集成電路產業現狀及發展趨勢、特色集成電路MEMS產業發展格局、第三代半導體材料發展現狀等議題進行了交流;與美國國家工程院院士、加州伯克利大學副校長、校董Tsu-Jae King Liu教授共同探討了國際集成電路產業動態、中美集成電路產業的競爭與合作等議題。

　　在此次峰會上，在丁文武先生等的見證下，即墨區人民政府、青島城投集團與賽微電子、泰睿思、矽力杰等全球知名半導體企業簽署合作協議，在位于即墨區的青島微電子產業園建設12英寸先進模擬芯片集成電路產業基地、OLED面板設備制造、第三代半導體材料氮化鎵等多個項目，通過高端項目的引進，逐步形成產業集聚，將青島建設為國家級集成電路產業基地，使青島市進入全球模擬產業第一陣營，打造青島“芯”名片。

　　第三代半導體材料主要包括碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、金剛石等，因其禁帶寬度(Eg)大于或等于2.3電子伏特(eV)，又被成為寬禁帶半導體材料，與第一、二代相比，第三代半導體材料具有高熱導率、高擊穿場強、高飽和電子速率等優點，可以滿足現代電子技術對高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等惡劣條件的新要求。此次賽微電子與青島即墨、青島城投就控股子公司聚能晶源相關項目的投資、落地情況達成緊密合作，有利于公司加快第三代半導體材料，尤其是氮化鎵(GaN)外延材料的設計、開發、生產進度，有利于公司把握產業發展機遇，盡快拓展相關材料在國防裝備、航空電子、5G 通信、物聯網等領域的推廣應用，有利于公司以傳感為核心所進行的“材料-芯片-器件-系統-應用”的全面布局，把握第三代半導體材料產業發展機遇，提高公司的綜合競爭實力。