第三代半導體逐漸走向C位 國內碳化硅和氮化鎵相關企業盤點

        眾所周知，我國現在正在大力發展集成電路產業，第三代半導體作為下一代電子產品的重要材料和元件，自然也受到了重點關注。

政策分析

    2015年5月，國務院印發了《中國制造2025》。其中，4次提到了以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導體功率器件。

    2018年7月，國內首個《第三代半導體電力電子技術路線圖》正式發布。路線圖主要從襯底/外延/器件、封裝/模塊、SiC應用、GaN應用等四個方面展開論述，提出了中國發展第三代半導體電力電子技術的路徑建議和對未來產業發展的預測。

    到目前為止，國內已有四條4/6英寸SiC生產/中試線和三條GaN生產/中試線相繼投入使用，并在建多個與第三代半導體相關的研發中試平臺。國產化的單晶襯底、外延片所占市場份額不斷擴大，國產化的SiC二極管和Mosfet開始進入市場，國產GaN微波和射頻器件在國防和通訊領域發揮主導作用。

碳化硅

    根據Yole于2018年發布的《功率碳化硅（SiC）材料、器件和應用-2018版》報告預測，到2023年SiC功率市場總值將超過14億美元，2017年至2023年的復合年增長率（CAGR）將達到29%。

    從產業鏈角度看，碳化硅包括單晶襯底、外延片、器件設計、器件制造等環節，但目前全球碳化硅市場基本被在國外企業所壟斷。其中，尤以美國、歐洲、日本為大。美國居于領導地位，占有全球SiC產量的70%-80%；歐洲擁有完整的SiC襯底、外延、器件以及應用產業鏈；日本則是設備和模塊開發方面的絕對領先者。

    那么國內碳化硅發展如何？

    單晶襯底方面，國內襯底以4英寸為主，目前，已經開發出了6英寸導電性SiC襯底和高純半絕緣SiC襯底。據CASA數據，山東天岳、天科合達、河北同光、中科節能均已完成6英寸襯底的研發，中電科裝備研制出6英寸半絕緣襯底。